三星3DNAND快闪存储器新厂上半年投产

作者:Mile米乐发布时间:2022-06-25 00:24

本文摘要:三星电子器件周二宣布,位在仁川南方地区的新芯片厂工程进度取得成功,将按期于2017上半年度建成投产。三星新的芯片厂于二零一五年破土,总共推广15.六万万美元(大概144亿美金)办厂,为三星有史以来仅次单一生产线项目投资。 据三星答复,新的厂第一阶段工程施工现阶段顺利完成九成。新的芯片厂关键作为生产制造高容三维立体式NAND快闪存储器。快闪存储器可替代传统式电脑硬盘,并广泛运用于数码照相机、智能机与别的USB页面存储机器设备。

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三星电子器件周二宣布,位在仁川南方地区的新芯片厂工程进度取得成功,将按期于2017上半年度建成投产。三星新的芯片厂于二零一五年破土,总共推广15.六万万美元(大概144亿美金)办厂,为三星有史以来仅次单一生产线项目投资。

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据三星答复,新的厂第一阶段工程施工现阶段顺利完成九成。新的芯片厂关键作为生产制造高容三维立体式NAND快闪存储器。快闪存储器可替代传统式电脑硬盘,并广泛运用于数码照相机、智能机与别的USB页面存储机器设备。

市场调研组织DRAMeXchange此前觉得,三星稳坐上年第四季NAND快闪存储器水龙头,获益于提供匮乏、均值价格(ASP)飙升,三星NAND快闪存储器应季价格降低5%、企业销售量季增11-15%,推高营业收入强健接近二成(19.5%),市占率返回37.1%。飞利浦同期内NAND存储器市占率约18.3%,暂居第二。

WesternDigital追逐后面,仅有劣飞利浦0.6个点。


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