三星电子器件周二宣布，位在仁川南方地区的新芯片厂工程进度取得成功，将按期于2017上半年度建成投产。三星新的芯片厂于二零一五年破土，总共推广15．六万万美元（大概144亿美金）办厂，为三星有史以来仅次单一生产线项目投资。
据三星答复，新的厂第一阶段工程施工现阶段顺利完成九成。新的芯片厂关键作为生产制造高容三维立体式NAND快闪存储器。快闪存储器可替代传统式电脑硬盘，并广泛运用于数码照相机、智能机与别的USB页面存储机器设备。
市场调研组织DRAMeXchange此前觉得，三星稳坐上年第四季NAND快闪存储器水龙头，获益于提供匮乏、均值价格（ASP）飙升，三星NAND快闪存储器应季价格降低5％、企业销售量季增11－15％，推高营业收入强健接近二成（19．5％），市占率返回37．1％。飞利浦同期内NAND存储器市占率约18．3％，暂居第二。
WesternDigital追逐后面，仅有劣飞利浦0．6个点。
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